[반도체] 적층 Gaa 시스템반도체

3D Gaa FET 구조 개발
반도체 미세화 한계를 극복하여 고성능 구현
파운드리 사업부 연구개발 추진
차세대 반도체 기술 주도권 확보

 

현재 시스템 반도체는 planar FET -> FinFET -> Gaa -> MBCFET 로 세대가 변화해왔다.

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[공부]GAA, MBCFET

 

이러한 구조의 탄생은 미세화에 따른 누설전류를 줄이고, channal에 흐르는 전류를 컨트롤 용이를 위해 세대가 변화하였다.

하지만 미세화뿐만 아니라, chip안에 트랜지스터수가 많아지다 보니 밀도가 높아져 더 많은 트랜지스터를 넣을 수 없는 문제가 발생하였다.

이 문제를 해결하기 위해 Gaa (또는 MBCFET)를 수직으로 쌓아 트랜지스터 밀도를 향상시키고 미세화 한계를 극복하여 새로운 형태로 고성능을 구현할 수 있을 것이다.

 

이러한 적층구조는 낸드 플래시에서 셀을 높은 단수로 쌓아 올려서 성능을 끌어올리는 방식과 같다.

 

이러한 방식은 메모리반도체에서만 통용되었으나, 시스템반도체에서 역시 적용 가능하다고 한다.

 

현재 미세화로인한 누설전류 상승이 FINFET구조로 해결되지 않자 새로운 Gaa 트랜지스터가 떠오르듯 1나노 이하에서는 적층 Gaa트랜지스터가 새로운 패러다임으로 떠오를것이다.

 

현재 업계와 학계에서는  'CFET(상보형전계효과트랜지스터)'이라는 이름으로 연구를 이어오고 있고 한다.