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GAA, MBCFET 이번 시간에는 지난 시간의 FINFET에 이어, GAA와 MBCFET에 대해 알아보겠습니다! 앞에서 말한 FINFET은 트랜지스터의 크기를 줄이다 보면 소스와 드레인 간 거리가 가까워져 게이트가 제 역할을 못하고 누설전류가 생기는 단채널(Short Channel) 현상이 발생하는 등 동작 전압을 낮추는 데 한계를 극복하기 위한 3D 구조 입니다. 여전히 첨단 반도체 공정에 사용되고 있지만 최근 4나노 이후의 공정에서는 더 이상 동작 전압을 줄일 수 없다는 한계가 발견되며 바로 GAA와 MBCFET구조를 구현해 내며, GAA (Gate-All-Around) FET와 MBCFET (Multi-Bridge Channel FET)은 미래 반도체 기술을 발전시키는 데 매우 중요한 역할을 할 ..

공부/반도체 산업 & RnD 2023. 7. 22. 00:01

FINFET이란 이번 시간에는 지난 시간의 반도체 미세화에 이어, 물리적 한계를 넘기 위한 공정방법에 대해 알아볼게요! 세계 반도체 경쟁 중 대표적인 분야가 초미세 공정입니다. 반도체 회로가 작을수록 소비전력은 줄어들고, 정보처리 속도는 빨라진다. 세계 주요 반도체 회사들이 초미세공정 경쟁을 벌이는 이유다. 반도체 칩 하나에는 수십억 개 이상의 트랜지스터가 들어 있어 있고, 전자가 양단의 폭 사이를 지나가거나 안 지나가거나로 스위치 역할을 하며 그 간격이 짧을수록 소자의 동작이 빨라집니다! 하지만 문제는 이러한 양단의 폭 즉 채널(Channel)의 폭을 줄일수록 문제가 발생하기 시작했습니다. 그 문제는 바로 Short Channel Effect입니다. Short Channel Effect는 반도체 미세화..

공부/반도체 산업 & RnD 2023. 7. 18. 00:01